広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

2018年度 研究業績

学術論文

  1. H. Hanafusa, R. Nakashima, W. Nakano, and S. Higashi, “Extremely high-power-density atmospheric-pressure thermal plasma jet generated by the nitrogen-boosted effect,” Jpn. J. Appl. Phys., 57 (6S2), (2018) 06JH01-1 - 06JH01-4.

会議発表

  1. Y. Mizukawa, H. Hanafusa and S. Higashi, “Visualization of Temperature Field in Molten Silicon Formed by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2018), (Nagoya, Japan, Nov. 13-15, 2018). pp. 39-40.
  2. H. Hanafusa, S. Higashi, and K. Shiozaki, “Capless Annealing of Mg Implanted GaN (0001) Face Using Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet,” Tech. Dig. International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), (Kanazawa, Japan, Nov. 11-16, 2018) p. 53.
  3. S. Higash, H. Harada, and T. Nakatani, “Melting and Crystallization of Amorphous Germanium Films on Insulating Substrate By Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet,” 2018 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting (Cancun, Mexico, Sept. 30 - Oct. 4, 2018), #1064
  4. [Invited] Y. Mizukawa, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Analysis of a Molten Region on Amorphous Silicon Film By High-Speed Camera and Contactless Temperature Measurement during Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing,” 2018 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting (Cancun, Mexico, Sept. 30 - Oct. 4, 2018), #1196
  5. W. Nakano, H. Hanafusa, S. Higashi, “Ultra-High-Speed Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate by Thermal-PlasmaJet Irradiation Using Cylindrical Rotation Stage,” 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), (Tokyo, Japan, Sept. 9-13, 2018).
  6. D. Todo, H. Hanafusa, S. Higashi, “Investigation on Contact Property on Silicon-Cap-Annealed n-type 4H-SiC,” European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), (Birmingham, UK, Sept. 2-6, 2018).
  7. S. Kawasaki, H. Hanafusa, S. Higash, “Millisecond Annealing of 4H-SiC Wafer for Impurity Activation by Nitrogen-boosted Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet,” European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2018), (Birmingham, UK, Sept. 2-6, 2018).
  8. [Invited] S. Higashi, “Meniscus Force Mediated Transfer of Single-Crystalline Silicon Thin Films on PET Substrate and Its Application to CMOS Circuit Fabrication,” 18th International Meeting on Information Display (IMID2018), (Busan, Korea, Aug. 28-31, 2018).
  9. 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射中における溶融シリコン内温度分布の2次元的可視化”、薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会、09a-O01(pp.44-45)(2018.11.9-10. 龍谷大学 響都ホール交友会館).
  10. 瀬川 和輝、花房 宏明、東 清一郎、“窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットの電極消耗量の低減”、薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会、10p-P02(pp.157-160)(2018.11.9-10. 龍谷大学 響都ホール交友会館).
  11. 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎、“ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS 論理回路のバッテリーレス動作”、薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会、09p-O03(pp.62-65)、(2018.11.9-10. 龍谷大学 響都ホール交友会館).
  12. 花房 宏明、東 清一郎、塩崎 宏司、“大気圧熱プラズマジェット照射によるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19p-CE-13(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  13. 水川 友里、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による溶融シリコン内温度分布の可視化”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20a-233-1(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  14. 河崎 星輝、花房 宏明、東 清一郎、“窒素ブースト大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCウェハ中不純物のミリ秒高速活性化アニール”、 第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-221C-2(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  15. 亀田 朝輝、花房 宏明、東 清一郎、“シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 21a-233-4(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  16. 長澤 聡、花房 宏明、東 清一郎、“ペロブスカイト太陽電池によるフレキシブル基板上の単結晶シリコンCMOS論理回路のバッテリーレス動作”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 21a-432-6(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  17. 東堂 大地、花房 宏明、東 清一郎、“シリコンキャップアニールを行ったn型4H-SiCのコンタクト特性に関する調査”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-221C-3(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  18. 平野 友貴、東 清一郎、“中空構造 SOI 層を用いた高効率低温転写技術のための リソグラフィプロセスの構築”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-233-8(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).
  19. 近藤 史康、東 清一郎、“中空構造SOI層の低温転写技術を用いたフローティングゲート作製プロセス技術に関する研究”、第79回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-233-9(2018.9.18-21. 名古屋国際会議場).

 

 

受賞

 

過去の研究業績

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